标签:193海里浸没式光刻技术

3 d NAND闪存市场升温
通过马克LaPedus2月19日,2015 -评论:4

经过一些延迟和不确定性在过去几年里,3 d NAND闪存市场终于升温。在2013年和2014年,三星是唯一供应商参与3 d NAND闪存市场。其他供应商应该船3 d NAND闪存设备在去年卷,但厂商推出他们的生产日期为各种业务和技术方面的原因。进入2015年,[getentity id = " 22865 " e_nam……»阅读更多

执行官的洞察力:阿基》
通过马克LaPedus10月- 16,2014 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光掩模技术和光刻技术趋势与阿基》d2的董事长兼首席执行官。SE:最大的挑战是什么,让你彻夜难眠?》:掩模技术,和面具的投资行业,越来越重要。但到目前为止,社区的投资是愿意花不是的…»阅读更多

如果EUV失败呢?
通过马克LaPedus- 4月17日,2014 -评论:2

业内最糟糕的保密,但极端紫外线光刻技术(EUV)可能会错过10 nm节点。因此,芯片制造商可能扩展和使用今天的193 nm浸没式光刻10纳米。当然,这需要一个复杂的和昂贵的多个模式方案。现在,芯片制造商正在制定7纳米光刻技术策略。现在的情况是,…»阅读更多

定向自组装的发展势头
通过马克LaPedus3月- 20,2014 -评论:0

在去年的有先进光刻技术研讨会,定向自组装(DSA)抓住了聚光灯下的芯片制造商提供了第一次看到他们最初的工作和结果的技术。结果是惊人的,从而推动DSA从好奇心项可能的模式为下一代设备解决方案。事实上,去年GlobalFoundries、IBM、英特尔和地空导弹……»阅读更多

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