标签:内存存储类

CXL和OMI:竞争或补充吗?
通过布来安梅奥- - - 3月23日,2022 -评论:1

系统设计师正在寻找任何想法他们能找到提高内存带宽和容量,重点从提高内存的新类型的内存。但高层建筑的变化可以帮助满足这两个需求,甚至脱离cpu内存类型。两个新协议有助于使这一切成为可能,CXL和尾身茂。但有一个迫在眉睫的问题…»阅读更多

DRAM的未来是什么?
通过布来安梅奥- 09年4月,2020 -评论:0

记忆——特别是DRAM——引发了大众的关注,因为它发现自己在关键路径更大的系统的性能。这不是第一次DRAM涉及性能一直是关注的焦点。问题是,不是所有的进展以同样的速度,创造了连续从处理器性能到晶体管设计瓶颈,甚至t…»阅读更多

在新的非易失性记忆
通过布来安梅奥- 07年4月,2020 -评论:0

继续寻找新的非易失性记忆(NVMs)挑战现有在职者,但在任何技术都可以被接受之前,它必须被证明是可靠的。“每个人都在寻找一个普遍的记忆”TongSwan彭日成说富士通高级营销经理。“可靠性不同的技术有不同的挑战,而不是所有人可以在汽车g……»阅读更多

驯服小说NVM非确定性
通过布来安梅奥2020年3月- 10 -评论:1

新的内存技术可能不确定的特点,添加校准测试负担,一生中可能需要调整。这些记忆是发展的结果搜索记忆存储类(SCM)技术,桥梁之间的差距大,记忆像flash和更快的DRAM内存慢。有几个出路……»阅读更多

混合内存
通过埃德·斯珀林9月- 13,2018 -评论:0

Rambus实验室的高级副总裁加里•布朗谈到DRAM缩放的未来,为什么一种类型的内存不会解决所有需求,以及利弊是什么不同的记忆。https://youtu.be/R0hhDx2Fb7Q»阅读更多

下一代内存加大
通过马克LaPedus8月- 16,2018 -评论:6

下一代内存市场升温供应商坡道的新技术,但也有一些挑战,这些产品将成为主流。多年来,该行业一直致力于各种内存技术,包括碳纳米管RAM,弗拉姆号,MRAM,相变内存和ReRAM。有些是航运,而另一些则在研发。每个内存类型是迪…»阅读更多

蚀刻技术下一代存储类的记忆
通过亚历克斯Yoon- 6月21日,2018 -评论:0

芯片制造商利用丰富的两种截然不同的功能类的内存产品。操作使用(主要/初级记忆),速度是关键,DRAM和SRAM工作,而要长期储存,闪存——特别是NAND——以低成本提供高容量的需要。为两类,努力提高速度、容量和用电正在进行。……»阅读更多

新节点、材料、记忆
通过埃德·斯珀林2018年2月- 15(-评论:0

艾莉Yieh,先进的产品技术发展的副总裁和总经理在[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”),和公司的负责人Maydan技术中心,坐下来与半导体工程讨论挑战,改变和解决方案在高级节点和新的应用程序。以下是摘录的谈话。SE: w到底能走多远…»阅读更多

预测:制造、设备和企业
通过布莱恩•贝利1月18日,2018 -评论:0

一些预测只是一厢情愿,但大多数都是更多的深思熟虑。他们项目需要发生各种市场或产品成为成功。这些深远的预测可能没有完全发生在2018年,但我们给每个人机会注意进展预测在今年年底。(见2017年反思:设计和EDA和男人……»阅读更多

MRAM开始引起注意
通过马克LaPedus- 9月19日,2013 -评论:0

由马克LaPedus在1980年代,有两个独立的创新改变了一对相关的景观fields-nonvolatile内存和存储。在一个努力,东芝公司发明了闪存,从而导致NAND和和设备。在另一个方面,物理学家们发现了巨磁电阻(GMR)效应,一个硬盘驱动器的基础技术,磁电机……»阅读更多

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu