是什么驱使SADP BEOL变异性?


直到EUV光刻技术成为现实,多个模式技术,如三litho-etch (LELELE),自对准双模式(SADP)和自对准四模式(SAQP)被用于满足严格的模式要求先进的back-end-of-line (BEOL)技术。7纳米技术节点,模式需求包括一个金属距40 nm或更少。这个…»阅读更多

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