标签:ReRAM

使puf更加安全
通过布来安梅奥- 2022年1月6日-意见:0

由于安全性已成为大多数系统的必备条件，硬件信任根(hrot)已开始出现在许多芯片中。对于HRoT来说，验证和创建密钥的能力至关重要——理想情况下，从一个不可查看和不可变的可靠来源创建密钥。“我们看到信任的硬件根源部署在两种使用模型中——提供安全启动系统的基础，以及支持安全启动系统。»阅读更多

电源/性能位:11月16日
通过杰西·艾伦- 2021年11月16日-评论:0

九州大学和国立台湾师范大学的研究人员提出了一种基于钙钛矿的“发光存储器”，可以同时存储和视觉传输数据。该团队将这一想法与电阻性RAM (RRAM)结合使用，其中高电阻和低电阻的状态代表1和0。“电气测量需要检查r…»阅读更多

错误越多，记忆越正确
通过布来安梅奥- 2021年11月9日-评论

当任何类型的存储位元变得越来越小时，由于较低的裕度和过程变化，误码率会增加。这可以通过纠错来处理和纠正比特错误，但随着使用更复杂的纠错码(ECC)，它需要更多的硅面积，这反过来又提高了成本。鉴于这种趋势，迫在眉睫的问题是……的成本是否……»阅读更多

新的内存会增加新的错误
通过布来安梅奥- 2021年9月7日-评论

新的非易失性存储器(NVM)为改变我们在片上系统(soc)中使用内存的方式带来了新的机会，但它们也为确保它们按预期工作带来了新的挑战。这些新的内存类型——主要是MRAM和ReRAM——依赖于独特的物理现象来存储数据。这意味着在它们被释放之前，可能需要新的测试序列和故障模型。»阅读更多

rram中的间歇性未定义状态故障
通过技术文件链接- 2021年9月3日-评论

摘要:“业界正在将电阻式随机存取存储器(RRAMs)原型化并商业化。不幸的是，RRAM设备引入了新的缺陷和故障。因此，迫切需要高质量的测试解决方案。基于硅的测量，本文确定了一种新的RRAM特有故障——间歇未定义状态故障(IUSF);该故障会导致RRAM设备断续c…»阅读更多

基于细粒度极化reram的混合信号DNN加速器原位计算
通过技术文件链接- 2021年8月19日-评论:0

摘要:“最近的工作证明了使用电阻性随机存取存储器(ReRAM)作为一种新兴技术来执行固有的并行模拟域原位矩阵向量乘法的前景，这是深度神经网络(DNNs)中密集和关键的计算。一个关键问题是有符号值的权重。然而，在一个ReRAM交叉条，权重存储为电导…»阅读更多

HBM的作用要大得多
通过布莱恩•贝利- 2021年5月13日-意见

高带宽内存正变得越来越快，并出现在更多的设计中，但这种堆叠DRAM技术可能作为基于芯片的soc和真正3D设计的网关发挥更大的作用。HBM越来越被视为将异构分布式处理推向完全不同级别的一种方式。曾经被认为是一种昂贵的技术，只能在高…»阅读更多

DRAM对芯片安全的持续威胁
通过布来安梅奥- 2021年2月10日-意见:0

一个著名的DRAM漏洞被称为“rowhammer”，它允许攻击者破坏或控制系统，继续困扰着芯片行业。解决方案已经尝试过了，新的方案也在提出，但大规模袭击的可能性依然存在。人们在大约五年前首次发现了消除“排锤”威胁的大部分努力，但收效甚微。»阅读更多

生产时间:2月2日
通过马克LaPedus- 2021年2月2日-评论:0

在最近的2020年国际电子设备会议(IEDM)上，Imec发表了一篇关于新型无电容DRAM电池架构的论文。DRAM被用于系统的主存储器，目前最先进的设备都是基于大约18nm到15nm的工艺。DRAM的物理极限在10nm左右。DRAM本身是基于一个晶体管、一个电容的结构。»阅读更多

DRAM、3D NAND面临新挑战
通过马克LaPedus- 2020年9月21日-评论

对于内存市场来说，这是一个颠倒的时期，而且还没有结束。到2020年为止，3D NAND和DRAM这两种主要内存类型的需求略好于预期。但现在，由于经济放缓、库存问题和持续的贸易战，市场存在一些不确定性。此外，3D NAND市场正在走向新技术的一代，但一些是enc…»阅读更多

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