标签:物理知识产权

减少浪费在芯片
通过布莱恩•贝利2017年10月- 12 -评论:0

额外电路成本,减少性能和功耗增加。但真的可以减少多少?当人们被问到这个问题时,他们或是防御或他们认为这是一个机会来展示他们的架构的优点,设计过程或IP。同样适用于IP供应商。其他人指出,浪费的整个概念有点奇怪,因为……»阅读更多

一个广泛的、有效的优化方法
通过沃尔夫冈Helfricht- 7月15日,2015 -评论:0

作为一个行业的挑战我们谈了很多关于在尖端的节能设计和伴随问题的节点。不可否认一些严峻的挑战,但如果我们诚实,有很多我们现在可以利用的机会改善我们的设计的能力。你肯定听说过说:“死在一千年削减?“嗯,当谈到应对力量在今天的…»阅读更多

FinFET减少物理IP功耗的影响
通过Navraj Nandra- 07年11月,2013 -评论:0

FinFET设备开发解决改善闸门控制需要抑制漏电流(IOFF);DIBL (drain-induced屏障降低);和过程诱导可变性32纳米以下。FinFET技术批量生产。FinFET的优点充分意识到设备,物理IP必须遵循相同的轨迹,数字设计中受益。包括……»阅读更多

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