研究部分:6月5日


改善记忆电阻器洛斯阿拉莫斯国家实验室(LANL)研究人员演示了一个可靠的接口类型(IT)记忆性设备(记忆电阻)显示承诺技术构建人工神经突触神经形态计算。团队使其记忆电阻——组件相结合记忆和编程功能,使用一个简单的非盟/ Nb-doped SrTiO3(注:STO) Sc……»阅读更多

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