MAC操作28 nm High-k金属门FeFET-based内存数组与ADC(弗劳恩霍夫ipm / GF)


技术论文题为“Multiply-Accumulate操作示范与28 nm FeFET横梁数组”被弗劳恩霍夫ipm和GlobalFoundries的研究人员发表。抽象的“这封信报告一个线性multiply-accumulate (MAC)操作进行一个横梁内存数组基于28 nm high-k金属门(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi……»阅读更多

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