SiGe对PMOS中寄生参数的影响


本文利用集成电气分析功能[1]的科文特SEMulator3D虚拟制造平台,进行了基于仿真的设计-技术协同优化(DTCO)。在我们的研究中,过程建模用于预测FinFET器件性能对硅锗外延工艺变化的敏感性。模拟的过程是一个闸门-最后流p。»了解更多

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