标签:193年浸

变化的长,弯弯曲曲的尾巴在7/5nm恶化
通过埃德·斯珀林9月- 20,2018 -评论:1

变化正在成为一个更大的挑战在每个新节点,但不仅仅是显而易见的原因,不是通常的来源。然而,解决这些问题需要更多的时间和资源,而且它会影响芯片的性能和可靠性贯穿一生。在高级别上,历来被视为变化之间的不匹配设计团队在…»阅读更多

发生了什么Nanoimprint得病吗?
通过马克LaPedus- 3月29日,2018 -评论:4

Nanoimprint光刻(NIL)重现在爆炸的新应用市场。Nanonex佳能、电动汽车集团,发现和其他人继续发展和船舶零系统的一系列的市场。NIL是不同的比传统的光刻和类似于冲压工艺。最初,光刻系统形成了一个基于预定义的模板设计模式。这时,一个布局……»阅读更多

覆盖的挑战在上升
通过马克LaPedus- 2017年11月16日-评论:2

覆盖计量设备市场升温高级节点作为掩蔽层数量的增加和规模的功能需要对齐继续萎缩。ASML和KLA-Tencor最近推出了新的(getkc id = " 307 " kc_name =“叠加”]计量系统,寻求解决线路所需的精度提高,削减和其他功能在每个层。10点/……»阅读更多

多模式问题7海里,5海里
通过埃德·斯珀林11月- 28,2016 -评论:13

继续依靠193海里浸没式光刻与多个模式变得更加困难,7和5 nm。在各种分辨率增强技术的帮助下,光学光刻用深紫外准分子激光是主力模式技术在工厂自1980年代初。它是如此紧密地联系在一起的延续(getkc id = " 74 "评论= "莫…»阅读更多

多个光刻选项仍然在玩
通过波拉多伊- 03年8月,2015 -评论:1

吞吐量和正常运行时间的EUV,覆盖193海里浸没式光刻技术的准确性,继续稳步改善,虽然也没有准备好10 nm生产,根据西方扬声器在半导体。ASML主任迈克Lercel、产品营销、报道几个EUV工具网站实现了70%的正常运行时间超过一个星期,和一个客户站点做了四个多…»阅读更多

下一代光刻技术怎么了?
通过马克LaPedus- 03年9月,2014 -评论:2

芯片制造商继续3月工艺曲线。使用今天的光学光刻和多个模式,半导体行业扩展其尖端设备远远超出了曾被认为是可能的。问题是这个行业可以扩展多远193海里浸泡(getkc id = " 80 "评论=“蚀刻”)和多个模式之前,这些技术成为t…»阅读更多

光刻的重置按钮
通过马克LaPedus- 3月21日,2013 -评论:0

由马克LaPedus在持续的延迟和挫折,极端的紫外线(EUV)光刻和多波束电子束都错过了10 nm逻辑节点。所以目前,芯片制造商必须采取强力的路线在10纳米与多个成像通过使用193 nm液浸式光刻技术。现在,是时候点击重置按钮。对于7 nm节点,芯片制造商目前正在排队石印竞争……»阅读更多

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