电力/性能:1月10日


反铁磁性的磁电RAM研究员Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR),瑞士纳米科学研究所和巴塞尔大学开发了一个新概念,低功耗内存芯片。特别是,集团专注于找到一个替代MRAM使用磁电反铁磁性物质,由电子电压激活而不是电流。“…»阅读更多

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