解决内存瓶颈


芯片制造商正在努力解决处理器和内存之间的瓶颈,他们正在推出基于不同架构的新设计,速度之快甚至在几个月前都没有人能预料到。目前的问题是如何提高系统的性能,特别是那些处于边缘的系统,其中大量数据需要在本地或区域内处理。传统的方法…»阅读更多

在设计早期权衡功率和性能


优化消费电子产品的性能、功率和可靠性是一项工程壮举,涉及一系列权衡,这些权衡基于收集尽可能多的关于设计将在其中运行的用例的数据。方法因市场、领域专业知识、既定方法和设计团队的观点而有很大差异。因此,一个团队可能会选择最先进的方法。»阅读更多

电源/性能位:4月16日


北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种技术,可以在不牺牲准确性的情况下,将深度学习网络的训练时间缩短60%以上。卷积神经网络(CNN)将图像分成块,然后通过一系列计算过滤器运行。在训练中,这需要重复数千到数百万张图像……»阅读更多

3D NAND测量挑战不断增长


3D NAND厂商要想把他们的设备提升到一个新的水平,面临着几个挑战,但有一项制造技术在每一个回合都要困难得多。计量学是测量和表征结构的艺术,用于查明问题并确保所有芯片类型的产量。在3D NAND的情况下,测量工具在每一次迭代中都变得越来越昂贵……»阅读更多

加速SSD软件开发和系统验证


我们在日常生活中产生的数据量持续呈指数级增长。从Netflix上下载电影和电视剧,以及在YouTube上上传我们自己的视频,已经成为一种常态。除此之外,汽车(ADAS、自动驾驶)和监控领域的重大转变正在提高每秒发生的数据交换量。与th…»阅读更多

新一代SSD设计中的计算和AI


在过去的40年里,数字存储以惊人的速度发展。由于数字存储在人们的视线之外,人们往往认为它是理所当然的,但今天我们口袋里设备的存储容量比30年前大型计算机的存储容量还要大。随着人工智能(AI)的兴起,这一趋势将继续下去,结果将令人震惊……»阅读更多

下一代存储级存储器的蚀刻技术


芯片制造商在他们的产品中大量使用两种功能完全不同的存储器。对于速度至关重要的操作使用(主/主存储器),采用DRAM和SRAM,而对于长期存储,闪存-特别是NAND -以低成本提供所需的高容量。对于这两个级别,提高速度、容量和功耗的努力正在进行中。……»阅读更多

Mentor TLC NAND软模型软误码注入


将NAND闪存作为存储介质来设计SSD控制器,在处理闪存最终会产生的软错误时需要做一些繁重的工作。本文将介绍一种简化设计和验证所需的方法。我们在虚拟设置中使用Veloce模拟器对这些软位行为进行建模,从而缩短了SSD的上市时间。r……»阅读更多

预测:制造业、设备和公司


有些预测只是一厢情愿的想法,但大多数预测都要深思熟虑得多。他们预测各种市场或产品要获得成功需要发生什么。这些影响深远的预测可能不会在2018年完全实现,但我们让每个人都有机会在年底注意到他们的预测取得的进展。(参见反思2017:设计与EDA和人…»阅读更多

Fab工具繁荣周期会持续吗?


2017年晶圆厂设备支出创历史新高,目前看来这一势头可能会持续到2018年。由于对[getkc id="208" comment="3D NAND"]设备的巨大需求,以及[getkc id="93" kc_name="DRAM"]设备的巨大需求,Fab工具供应商发现自己在2017年处于意外的繁荣周期中。然而,在逻辑/代工业务中,设备需求…»阅读更多

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