研究部分:5月10日


增长2 d TMD在芯片从麻省理工学院(MIT)研究人员,橡树岭国家实验室,和爱立信研究发现一种“长出”层的二维过渡金属dichalcogenide (TMD)直接材料完全捏造硅芯片之上,他们说可以使密集的技术集成。研究人员关注二硫化钼,f……»阅读更多

研究部分:4月10日


Meminductor发现德州农工大学的研究人员发现了Meminductor电路单元。类似于记忆电阻和记忆电容,meminductor有存储器像自然的属性依赖于之前的值。电阻器、电容器和电感组成的三个经典电路元素。忆阻器和记忆电容,而理论早些时候,哈哈…»阅读更多

研究部分:12月5日


质子的可编程电阻器为AI麻省理工学院(MIT)研究人员开发了一个模拟基于质子的深度学习处理器可编程电阻器安排在一个数组。的处理器,电导率增加和减少的质子的电阻使模拟机器学习。电导是由质子的运动……»阅读更多

研究部分:11月21日


石墨烯加热器对相变开关华盛顿大学的研究人员,斯坦福大学的查尔斯·斯塔克德雷珀实验室,马里兰大学和麻省理工学院的一个节能的设计,硅基非易失性可操纵光开关,通过使用相变材料和石墨烯加热器。旨在减少权力consum……»阅读更多

研究部分:11月7日


ADC边信道攻击麻省理工学院的研究人员提出两种方法来保护模拟-数字转换器(ADC)从权力和电磁边信道攻击。研究人员首先调查了边信道攻击,可以用来对付adc。权力通常涉及一个攻击者攻击焊接电阻在衡量其用电设备的电路板。一个electromagn…»阅读更多

研究:10月18日


模块化的智能芯片工程师在麻省理工学院(MIT),哈佛大学,斯坦福大学,劳伦斯伯克利国家实验室,韩国科学技术研究所和清华大学创建了一个模块化的方法来构建可叠起堆放的,可重构的人工智能芯片。设计包括传感和处理元素的互层,随着led t…»阅读更多

研究部分:8月30日


通过玻璃通过中国科学院(CAS)的研究人员开发了一种通过玻璃通过(TGV)过程对3 d先进的包装,这使得低传输损耗和高真空wafer-level包装的高频芯片和MEMS传感器。TGV垂直互连技术应用于wafer-level真空包装。研究人员发现,咕……»阅读更多

研究部分:8月23日


Algae-powered微处理器工程师来自剑桥大学的,手臂研究,苏格兰海洋科学协会和挪威科技大学使用一种广泛的蓝绿藻权力手臂皮层M0 +微处理器连续一年多。集胞藻属海藻,无毒和收成能源从光合作用。表面涂覆的小…»阅读更多

研究部分:6月21日


边信道保护边缘AI麻省理工学院的研究人员建立了一个芯片,可以抵御权力边信道攻击目标机器学习在smartwatches计算,智能手机和平板电脑。边信道攻击涉及观察设备的操作的一个方面,在这种情况下,推导出秘密。“这个项目的目标是再架……»阅读更多

研究部分:5月17日


磁存储结构来自俄亥俄州立大学的研究人员和大学根据墨西哥研究一种新材料,有可能增加磁存储设备的容量。他们发现了锰锗化物、一个不寻常的磁性材料的磁性是螺旋线,类似于DNA的结构。结构产生了许多……»阅读更多

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