周回顾:设计,低功耗


内存CEA-Leti在130nm节点上演示了16kbit铁电随机访问存储器(FeRAM)阵列。它利用最小为0.16 μ m²的TiN/HfO2:Si/TiN铁电电容器的线后端(BEOL)集成和焊料回流兼容,首次用于此类存储器。研究人员预计,它将用于物联网和可穿戴开发等嵌入式应用程序。»阅读更多

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