标签:铁电存储器有限公司

下一个新的记忆
通过马克LaPedus8月- 15,2019 -评论:2

几个下一代记忆类型增加经过多年的研发,但还有更多的新记忆研究管道。今天,几个下一代记忆,如MRAM、相变内存(PCM)和ReRAM航运一个学位或另一个。一些新记忆这些技术的延伸。其他基于全新的技术或涉及基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

内存初创公司看
通过马克LaPedus8月- 16,2018 -评论:0

下一代的记忆终于加大经过多年的延误和承诺。英特尔,航运是3 d XPoint,新一代技术基于相变内存。此外,大型铸造厂嵌入式MRAM准备。当然,还有许多其他球员在下一代存储领域。还有许多的创业公司飞行联合国…»阅读更多

周评:制造、测试
通过马克LaPedus- 06年7月,2018 -评论:0

芯片制造商,去年微米起诉联电,声称联电偷了内存技术从公司转移到金华集成电路有限公司DRAM制造商在中国。作为回应,联电对微米提起专利侵权诉讼在中国大陆法院本周在2018年1月,微米似乎遭受诉讼的法律挫折台湾�…»阅读更多

晶体管3海里之外的选择
通过马克LaPedus2018年2月- 15(-评论:18

尽管放缓芯片扩展成本飙升之际,该行业继续寻找新的晶体管类型5到10年2和1 nm节点尤其醒目。具体来说,产业定位、缩小晶体管的选择后的下一个主要节点3海里。这两个节点,称为2.5和1.5 nm,将出现在2027年和2030年,分别协议……»阅读更多

一个新的记忆的竞争者?
通过马克LaPedus1月- 02年,2018 -评论:1

势头正在建设的一个新类铁电记忆可能会改变下一代记忆的风景。一般来说,铁电体与内存类型称为铁电相关联公羊(弗拉姆号)。几家供应商在1990年代末推出,弗拉姆号是低功耗,非易失性的设备,但他们也限于利基应用程序和无法规模超过130海里。虽然……»阅读更多

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