DRAM芯片采用On-Die纠错和相关可靠性技术


这个新博士论文篇题为“启用有效的错误缓解内存芯片使用On-Die纠错编码”从苏黎世联邦理工学院研究员Minesh帕特尔赢得了IEEE威廉·c·卡特奖2022年6月。抽象的“内存存储密度的改善主要是由过程技术扩展,从而对可靠性造成负面影响的加剧各种circu……»阅读更多

琴:实际上,有效识别无法改正的错误使用On-Die纠错编码的存储芯片


文摘:“先进的技术,以解决scaling-related主内存错误识别和修复一些错误的风险从内部内存控制器。不幸的是,现代主内存芯片内部使用on-die错误校正码(on-die ECC)混淆错误的内存控制器的视图,复杂的过程(即识别高危位。、错误公关……»阅读更多

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