过渡金属氮化物对过渡金属卤化物电介质Dichalcogenide晶体管


抽象”使用采用基于计算,我们调查6个氮化过渡金属卤化物(TMNHs): HfNBr, HfNCl, TiNBr, TiNCl, ZrNBr,和ZrNCl作为潜在的范德瓦耳斯就是secu * tanu减去vdW()为过渡金属电介质dichalcogenide (TMD)通道晶体管。我们计算剥落能量和体积声子能量和发现六TMNHs exfoliable和热动力stabl……»阅读更多

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