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精细蚀刻选择性的扩展材料计量


先进器件制造的趋势要求结合光刻-蚀刻多图版序列和自对准多图版,以形成器件在亚波长尺寸上的最佳特征。随着EUV光刻技术(13.5 nm)发展到更大的数值孔径和新的薄电阻,必须开发新的多图型序列,具有相互兼容的电阻和近端层。»阅读更多

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