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电磁仿真和3 d-ic插入器


由马特·外墙、朱利诺Mologni和皮特Gasperini今天的3 d集成电路(3 d-ic)技术经过40年的大学和研究实验室遍布世界各地。动态随机存取存储器(DRAM)部署开始出现在市场十年前,3 d-ic已经扩大了覆盖范围。现在果断开始实现……»阅读更多

计算电磁学的基础


麦克斯韦方程可以表示在多个变种,有积分和微分版本在时间和频率域,以及准静态和全波形式。优雅是明显的在眼前的只有最简单的系统是已知的解决方案。因此,没有假设简化数学和/或系统的研究中,经常是不可能完全…»阅读更多

弹性不妥协


在21世纪的黎明,可用RAM物理机器上的决定,并最终有限,设计,Ansys基于模拟的大小。这促使工程师购买非常昂贵的硬件,到六位数,解决他们最具挑战性的问题。必要性、工程师学会了“分而治之”他们的最大,最…»阅读更多

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