吉尔李

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董事总经理吉尔·李是一个内存技术在半导体产品组在应用材料。

作者的最新文章

比较新的内存类型
通过吉尔李——4月18日,2019 -评论:0

经过几十年的研究和发展,三个新类型的memory-magnetic RAM (MRAM),相变存储器(极化)和电阻RAM (ReRAM)——向商业用户,这半导体和计算机行业的一个令人激动的时刻。所有这三个新兴的记忆是通过新材料和需要突破的工艺技术和制造……»阅读更多

什么变化在内存中
通过吉尔李12月17日,2018 -评论:0

随着新兴大数据和人工智能(AI)的应用程序,包括机器学习、推动创新在许多行业,如何推进的问题内存技术来满足不断变化的计算需求提出了一些挑战。主流内存技术,DRAM和闪存芯片,一直是可靠的工业中心,每一个优化的年代……»阅读更多

3 d NAND闪存是一个现实——接下来是什么?
通过吉尔李2013年12月- 02 -评论:0

最大的进展发生在半导体行业是3 d NAND内存技术的出现。当今可利用的产品是功能3 d NAND闪存设备。花了年成为现实——因为东芝首先讨论3 d NAND的概念在2007年的VLSI研讨会——现在它将取代平面NAND闪存的存储。的道路……»阅读更多

与Sub-20nm Flash是怎么回事?
通过吉尔李8月- 15,2013 -评论:0

本周由吉尔李我将参与小组讨论在圣克拉拉的闪存峰会,CA。专家组的话题,Flash低于20 nm:什么是未来,什么时候?,无法更及时。特别是在光的NAND闪存制造商最近宣布,他们将开始大规模生产半导体行业的首部3 d垂直NAND闪存后……»阅读更多

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