特别报道
将单片3 d DRAM发生吗?
设计正在开发新的、更快的内存,但他们的未来是不确定的。
头条新闻
摔跤在模拟3海里
一个制造工艺,不提供足够的模拟电路设计能力不是一个商业上可行的过程。但它有多好?
边缘之间的权衡与云
由于局部处理器变得更加强大,效果最好,什么?
创业融资:2021年8月
3.5美元35公司分散在世界各地,包括IC制造设备,人工智能,ADAS,电池。
博客
弗劳恩霍夫IIS EAS的安德烈·兰格发现越来越需要老化模型来确保可靠性,老化的模拟集成电路设计的重要性。
Arm的费尔南多•加西亚雷东多Pranay Prabhat, Mudit Bhargava深入MRAM交换重要的统计活动的行为,可靠和高效紧凑的可伸缩MTJ仿真的模型。
Synopsys对此“Priyank Shukla列出了如何加快路径为HPC soc合规和设计关闭,集成以太网电脑层和物理层IP 400 g / 800 g超大型数据中心。
西门子EDA Derong严问题的最短路径是否有用的调试电阻时,欺骗的最短路径。
节奏的保罗McLellan看着最力量的处理器,即将到来的笔记本电脑,服务器,和游戏控制台下一代的通用计算热芯片。
Rambus的弗兰克铁预测我们在另一个世代的尖端HBM变化的道路上更高的内存带宽。
Ansys的Marc同化解释了速度和影响半导体集成密度,多氯联苯,系统,和光子学生产电子设计多重物理量的影响。
英飞凌Zhihui元看了看短路行为的差异SiC MOSFET和IGBT设备,在SiC mosfet短路强度。
赞助商白皮书
在ESD保护电路电阻路径最短欺骗P2P调试
一个8位到12位分辨率可编程5 MSample / S目前转向数模转换器在22纳米FD-SOI CMOS技术
边缘计算:新的支持数字双胞胎
为今天的超级系统设计高性能电子产品
氮化镓- CoolGaN 600 v HEMTs门驱动解决方案
功能安全工作组
GPIOs:关键IP功能安全的应用程序
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