芯片销售在第三季度反弹;EUV在日本;新工厂投资;微米采用EUV;英飞凌接管AIMS5.0;民主化的硅技术。
TECHCET是预测半导体先驱收入,high-ƙ金属电介质和low-ƙ电介质,在2023年下半年将会增加,从目前的百分之零增长率反弹。晶圆开始卷料与扩张在2024年反弹2和3 nm逻辑器件。
半还预测全球半导体销售额下滑将本季度结束,第三季度逐步复苏。报告指出几个改进,但是高库存将继续抑制硅装运和工厂产能利用率仍将远远低于去年水平注册。此外,半导体设备销售继续下降与芯片制造商的资本支出调整。
三星将建立一个新的2.22亿美元吗设施在日本发展的一个原型芯片,日经亚洲报道。新工厂将构造附近现有研究和开发在横滨,和日本可能有资格得到7200万美元的补贴。
微米宣布它将投资¥5000亿(36亿美元)的EUV光刻技术的发展为其在日本广岛工厂——第一个工厂使用EUV——它将制造下一代DRAM, 1-gamma的芯片(1γ)。该公司计划在2025年开始EUV处理在台湾和日本。
京瓷宣布计划花费29亿美元的新生产设施和投资支持先进的人工智能半导体的生产,根据日经亚洲。
在半导体是考虑投资20亿美元来提高碳化硅的生产设备来帮助延长电动汽车的行驶距离,据路透社报道。芯片制造商正在考虑扩大在美国、捷克共和国、朝鲜。
欧洲芯片行动委员会推出了试验系统监控半导体供应链和允许利益相关者提高认识的任何关键的中断。目标是收集信息需要建立一个精确的评估风险和快速反应任何潜在的危机通过欧洲半导体专家小组。
莫里斯Tanenbaum、发明家之一第一个硅晶体管去世,享年94岁。
英国和日本签署半导体在七国集团(G7)全球峰会合作协议来提高国内生产半导体在这两个国家,承诺交换技能,谋求新发展,《卫报》的报道。
心理契约和imec签署了谅解备忘录,计划建立半导体人才和汽车研究(STAR)倡议,专注于发展所需的人才和基础设施连接汽车、半导体、和创新研究计划在欧洲(比利时),美国(密歇根州)和亚洲(日本)。
在半导体签署一个谅解备忘录建立onsemi碳化硅晶体中心(SiC3)宾夕法尼亚州立大学材料研究所(MRI)。将致力于提高效率在电动汽车,电动汽车充电和能源基础设施。Onsemi将基金中心每年800美元在未来10年。
三星宣布发展行业首个128 g (GB) DRAM支持计算表达链接(CXL) 2.0,将加快商业化高速,下一代存储解决方案。三星还宣布它开始大规模生产16-gigabit DDR5 DRAM (Gb),它使用12纳米加工技术。
proteanTecs宣布公司的die-to-die互连监控代理通过TSMC9000 pre-silicon IP评估阶段质量计划。
NXP半导体宣布一个合作台积电提供行业首个汽车嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)使用16 nm finFET技术。
效果显著和其他先进的系统研究协会的成员推出了一个先进的半导体设计平台研发项目,旨在民主化获得硅技术通过使人快速地设计一个专用芯片,制造尖端半导体技术。
英飞凌是接管协调宽频带示波器的欧洲研究项目AIMS5.0(人工智能制造导致可持续发展和行业5.0),专注于改善资源消耗,质量,和弹性生产,优化供应链,减少投放市场的时间。7000万欧元的资金,AIMS5.0是欧洲主要的研究项目之一。
科学家们维也纳技术大学已经开发出一种创新新原子力显微镜(AFM)更紧凑、更简单,并与同等精度比现有技术更便宜。与传统的使用复杂和计算密集型处理的AFM,科学家建立了一个集成电路直接进入AFM的技巧来处理信号在发送到服务器之前,减少成本,复杂性,和时间。
看到我们的生产、包装和材料通讯对这些特性的文章:
阅读我们的测试,测量及分析通讯这些以及更多的亮点:
即将到来的183新利 在芯片行业:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复