我们需要在10纳米以下和为什么。
由黛布拉Vogler
半导体应用计量是一个广泛的话题无论一个是谈论front-end-of-line (FEOL)或back-end-of-line (BEOL)技术。本杰明Bunday、项目经理、CD计量和高级技术人员的成员在SEMATECH,破裂的主题下一代计量10 nm和半下面分成四个主要类别:
•成像CD计量
•散射CD / 3 d计量
•电影计量
•缺陷检查/审查
对于大批量生产(HVM),这些技术需要自动化,高通量,无损。特别是,其中两个——散射CD / 3 d和电影——可能受益行业是否可以开发一个明亮、高能x射线源。SEMATECH及其合作伙伴,做了一个广泛的差距分析乳糜泻计量在22 nm节点(参见表1)。
表1:建立&新兴x射线计量应用程序
来源:SEMATECH白皮书研究;汇总表的x射线计量功能。
下面的一些要点10 nm和采访时被Bunday讨论半期待他的表现半导体西2015半导体技术研讨会(STS)会话先进光刻(“制造的光刻景观:成本和生产力问题下面14 nm和路径(s)到5 nm”)周三,7月15日10:00am-12:30pm)。
当谈到下一代散射测量,该行业需要解决的一个挑战包括n和k的变化的可能性,源自量子极限和非常小的目标。此外,散射测量必须处理更复杂的设备架构。Bunday告诉半工业已经确定一个解决方案,围绕这些问题——临界尺寸小角x射线散射(CD-SAXS)。”,但我们没有足够明亮的x射线源足够快,“Bunday说,“所以吞吐量是一个问题。”
而同步加速器可以提供这样的来源,工厂肯定是不可行的。“有几个点子,真正光明的来源开始变得更加经济可行,这是一个重要的问题,值得关注。“解决下一代散射测量不是唯一的技术,将受益于这样一个来源。“我们会变本加厉的电影计量挑战——需要一个明亮的x射线源。”
Bunday继续,强调关键需要x射线源,“几十年来,x射线计量人处理x射线源(即小改进。,也许10%)。“Bunday告诉半”,我们需要的是100 x x射线源或更好的革命——越多越好HVM 10 nm 7和5 nm。”
指向“当前速度”列在表1中,Bunday指出,XRD技术,与今天的来源,需要30分钟到几个小时/晶片。“没关系做几个晶片,过程开发,”他说,“但是如果你想做过程控制在每一个,这成为一个问题。”他还解释说,一个计量学家可能需要更多的空间分辨率——也许映射XRD结果和地图的压力,这将需要更多的时间。“所以光明的来源可以帮助实现其中的一些东西,”
另一个好处,如果这个行业有一个明亮的x射线源将为汽相decomposition-total反射x射线荧光(VPD-TXRF),而目前的需要一个小时。此外,这是一个破坏性的技术。“如果你有一个光明的来源,你可以把测量管道和无损,并做更多的事,”Bunday说。
审查表1中列出的其他x射线计量应用程序,很明显,他们将受益于一个明亮的x射线源。“如果这是光刻技术来源,这将是一个容易获得资金的情况下,“Bunday说。
他进一步指出,行业不愿意透露的计量。”,但如果你想投资向高计量的发展,把钱花在一个光明,高能x射线源,因为它会影响所有五个计量技术(见表1),“Bunday告诉半。“这将很长的一段路要走提供所需的HVM先进电影和CD / 3 d为即将到来的节点计量。”
半导体西2015(7月14 - 16在旧金山,加利福尼亚州)将一个STS计划专注于先进材料和流程周三,7月15日。早上会议将探讨光刻在14 nm和下面的问题。晶体管扩展将检查在下午一个会话。学习更多在www.semiconwest.org/node/13861。现在注册!贴现登记(节省100美元)6月5日。
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