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白皮书

ALD Tungsten解决了3D NAND器件制造中的容量挑战

ALD(原子层沉积)在每个循环中精确控制特定的反应物分子,不像CVD

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我们这个连接日益紧密、越来越“智能”的世界产生了越来越多的数据,这给制造商带来了压力,他们在提供处理和存储所需的越来越大的容量方面面临着新的技术挑战。ALD钨工艺正在帮助3D NAND制造商克服生产存储容量更高的存储芯片的技术挑战。

3D NAND应用
3D NAND是一种非易失性存储器,这意味着它可以在断电时保存数据。3D NAND技术应用于手机、平板电脑、个人电脑和记忆棒,以及汽车和企业服务器。

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