减轻电位降的大小超出饱和排水一端,这样长水道溃败可以提高相对传统halo-doped设备。也一种改进Vt碾轧行为。
设备设计技术提高输出电阻(崩溃)的特点长水道halo-doped nMOSFETs替换门(RMG) high-k /金属门(香港/毫克)设备提出了基于数值模拟。我们表明,自对准halo-compensated通道植入(HCCI)后进行虚拟多晶硅栅除提供传统的光环掺杂补偿。这可以用来减轻电位降的大小超出饱和排水一端,这样长水道溃败可以提高相对传统halo-doped设备。此外,我们实现一种改进的Vt碾轧行为,优势热载流子注入(HCI)特征在高电压操作,和降低短沟道drain-induced屏障降低(DIBL)和固有的延迟通过优化的源/漏(S / D)掺杂剖面。HCCI技术可以使用流程,实现兼容RMG HK / MG SoC (SoC)技术在大规模生产。
发表于:IEEE电子设备(数量:67,问题:6,2020年6月)
由Zhi-Cheng Lee(音)的下巴,Kai-Lin李,奥斯伯特Cheng Yao-Chin Cheng从先进技术开发,设备部门,公司联华电子(UMC),台南科学园区,台南,台湾。
点击在这里在IEEE找到这篇文章探索。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复