其中两种电子-光子电路模拟方法可以解释设计阶段蒙特卡罗过程参数的变化。
硅光子学(SiPh)是指在硅片上实现光子集成电路(PIC)。SiPh可与现有CMOS制造基础设施兼容，用于大规模集成，并为光子学带来相关好处，即更低的占地面积，更低的热效应，以及电子和光子学在同一芯片上的联合封装。在现代半导体技术中，纳米制程缩放的副作用之一是局部(即晶圆内)变化的影响增加了;而且，减少制造业差异的努力可能会带来资本密集型的惩罚。随着工艺节点越来越小，通常用于数字(电子)设计的角设计方法是不够的。对于更类似于模拟的光子设计尤其如此。因此，PIC设计师的任务是将工艺变化的随机性质纳入其设计过程，并找到最小化影响的方法。在Synopsys OptoCompiler-OptSim中，工艺参数变化可以作为电子-光子设计自动化(EPDA)的一部分。我们从流程变化的高级分类开始。接下来，我们描述了电子-光子电路模拟在设计阶段可以解释蒙特卡罗过程参数变化的两种方法。 Two case studies are presented as illustrations of each approach.
作者:
吉格什·k·帕特尔
技术营销经理
定制设计和
制造业
集团Synopsys对此
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