发表在《微/纳米图案、材料和计量学》杂志上，2021年8月31日。读了完整的技术论文在这里(开放)。
在光刻技术中，为了获得最佳的晶圆打印效果，需要校正光学接近度和工艺偏差/效果。纠正这些影响的努力从一个简单的偏差开始，在线端增加一个锤头，以防止线端缩短。这种第一代校正称为基于规则的光学接近校正(OPC)。然后，随着芯片特征尺寸的不断缩小，OPC变得更加复杂，并演变为基于模型的方法。一些额外的模式被添加到掩模，以改善晶圆工艺窗口，一个衡量弹性的制造变化。大约在这个时候，引入了反向光刻技术(ILT)的概念，这是一种数学上严格的反向方法，可以确定将产生所需晶圆上结果的掩模形状。ILT作为下一代OPC在过去三十年中一直在探索和开发，有望解决先进节点光刻的几个挑战，无论是光学还是极紫外(EUV)。今天，OPC和ILT都是光刻技术的一部分，称为分辨率增强技术。由于OPC和ILT都涉及计算，它们也被认为是计算光刻的一部分。我们探讨了ILT的背景和历史，并详细介绍了全芯片ILT从学术概念到实际生产现实的重要里程碑。
作者:庞林勇，D2S
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