边缘和RISC-V硬件加速器;RL-guided路由;使用DL内存映射;十字形可重构场效应晶体管;内存崩溃;电动汽车充电安全问题;PCM模拟内存计算;非传统的设计使用FDSOI动态逻辑;半导体光放大器在数据中心。
最近添加到半导体工程的新技术论文图书馆:
| 技术论文 | 研究机构 |
|---|---|
| EigenEdge:实时软件执行RISC-V和边缘硬件加速器 | 哥伦比亚大学 |
| 强化学习指导详细路由定义电路 | 但奥斯汀,普林斯顿大学和英伟达 |
| 优化内存映射使用深层加固学习 | 谷歌DeepMind和谷歌 |
| 灵活的十字形可重构场效应晶体管信号路由 | NaMLab gGmbH、舟状骨德里昂和TU德累斯顿 |
| 内存崩溃:进步和开放挑战 | 密歇根大学 |
| ChargeX:探索对电动汽车充电状态切换攻击系统 | 密歇根州立大学,圣路易斯华盛顿大学,德州农工大学 |
| 优化预测相变内存模拟内存计算推理 | IBM的研究 |
| 非传统的设计动态逻辑使用FDSOI进行高效计算 | 斯图加特大学,加州大学伯克利分校,印度科技学院的坎普尔和TU慕尼黑 |
| 集成soa实现节能intra-data中心相干链接 | 加州大学圣芭芭拉分校 |
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