如何提高设计性能,减少死区和与硅生产密切相关。
典型的记忆表征技术使用内存编译器和特定的记忆有很多tradeoffs-development时间,准确性,性能等等。特定于特定的表征方法如动态模拟、晶体管级静态时序分析,和分治遭受多重限制,禁止使用40纳米技术和下面。动态分区提供了一个选择,提供了一个快速和准确的记忆表征方法使设计者提高设计性能,减少死区,与硅生产密切相关。本白皮书讨论权衡这些记忆表征技术和设计师如何选择他们的应用程序的最佳解决方案。
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传感器技术仍在不断发展,和功能正在被讨论。
问题包括设计、制造、包装、和可观察性都需要解决这种方法成为主流之前对于许多应用程序。
光子学、可持续发展和人工智能芯片吸引投资;157家公司筹集了超过24亿美元。
IP工业正在经历一些转换,将很难使新公司进入市场,并为那些仍然更加昂贵。
High-NA EUV仍在工作,但更多的芯片/ chiplets将使用老,开发廉价设备。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
学术界、业界伙伴关系斜坡来诱使大学生硬件工程。
一个处理器的验证是更复杂的比同等规模的ASIC,和RISC-V处理器把这一层复杂性。
高速度和低热量使这个技术至关重要,但它是极其复杂和人才是很难找到和火车。
地图在interposer-based热量流动设计工作正在进行,但要做得多。
先进的设备、材料和包装技术所有导致权力问题。但是你需要关注每个晶体管和线吗?
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