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标签:变异

沉默的数据损坏
通过埃德·斯珀林2022年12月- 12 -评论:0

缺陷可以从任何地方潜入芯片制造,但问题是恶化在高级节点和高级包减少销访问可以使测试更加困难。Ira利文斯,美国应用研究和技术副总裁美国效果显著,谈论是什么导致了这些所谓的沉默的数据错误,如何找到他们,为什么现在需要马…»阅读更多

变化越来越有问题,更加多样化
通过凯伦·海曼2022年12月- 12 -评论:0

过程的可变性越来越有问题随着晶体管密度的增加,在平面芯片和异构先进的包。就绝对数量的基础上,有很多东西是错误的。“如果你有一个与500亿个晶体管芯片,还有50十亿分之一事件可能发生的地方,”罗伯•艾特肯表示Synopsys对此研究员。如果英特尔的……»阅读更多

现在首要任务在高级节点系统的产量问题
通过劳拉·彼得斯2022年12月- 06 -评论:0

系统产生问题取代随机缺陷作为主要关注在最先进的半导体制造过程节点,需要更多的时间,精力,和成本达到足够的收益。收益率是终极嘘嘘在半导体制造话题,但它也是最重要的,因为它决定了有多少芯片可以出售获利。“老节点b…»阅读更多

芯片制造产生更快的尖端节点
通过埃德·斯珀林11月- 30,2022 -评论:0

模拟半导体制造业正在升温,尤其是在最先进的节点数据需要分析等因素变化的背景下,defectivity利率。半导体工程与大卫炸坐下,计算产品的公司副总裁林的研究,讨论Lam Esgee最近收购的背后是什么技术,…»阅读更多

建模波动来源对棉酚的电特性的影响如果使用ANN-Based毫升NS mosfet
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

研究者从国家杨明交通大学(台湾)发表了一篇技术论文题为“机器学习方法建模的内在参数波动Gate-All-Around Si Nanosheet mosfet。”"This study has comprehensively analyzed the potential of the ANN-based ML strategy in modeling the effect of fluctuation sources on electrical characteristics of GAA Si NS MOSF...»阅读更多

低温CMOS变得凉爽
通过布莱恩•贝利8月11日,2022 -评论:1

低温CMOS技术的尖端,承诺更高的性能和更低的能力没有改变制造工艺。现在的问题是它成为可行的和主流。技术通常似乎只在地平线上,不让它,但从来没有在看不见的地方太远。这通常是因为一些问题困扰,激励不够大来解决……»阅读更多

近门槛计算得到提振
通过布莱恩•贝利——7月25日,2022 -评论:0

近门槛计算长期以来一直用于power-sensitive设备,但有些奇怪,无关的进步使它更容易部署。尽管近门槛逻辑一直是一个至关重要的技术应用功耗最低的,它总是很难使用。正在改变,虽然它不太可能成为主流技术,这当然是bec……»阅读更多

变化在先进制造麻烦包
通过埃德·斯珀林- 6月16日,2022 -评论:2

变化是越来越有问题的芯片设计变得更加异构和应用程序的目标,很难确定问题的根源或预测可能出错,当什么。变化的担忧通常仅限于最先进的节点,晶体管密度最高,生产过程仍在fine-t……»阅读更多

集成电路制造的材料和过程的变化
通过埃德·斯珀林和劳拉·彼得斯- 4月21日,2022 -评论:3

罗摩Puligadda,首席技术官在布鲁尔科学,坐下来与半导体工程讨论广泛的半导体制造业的变化,包装,和材料,以及如何影响可靠性,整个供应链流程和设备。SE:牺牲材料扮演着什么样的角色在半导体制造,并在新流程节点是如何改变?Puliga……»阅读更多

设计技术开
通过埃德·斯珀林1月18日,2022 -评论:0

上升的复杂性使其越来越难以优化芯片产量和可靠性。计算产品的副总裁大卫•油炸林的研究,探讨了自动化管理规则的好处之间的关系布局和设计要求一方面,流程和规则/检查。好处包括减少,缩短上市时间,……»阅读更多

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