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标签:V-NAND

有限制的层数3 d-nand ?
通过凯伦·海曼8月24日,2022 -评论:1

内存厂商竞相添加更多的层3 d NAND,竞争激烈的市场中由数据的激增和需要高容量固态硬盘和更快的访问时间。微米已经232 -层与非订单,和不甘示弱,SK海力士宣布将开始卷制造238 - 512 gb三层水平细胞(TLC) 4 d NAND上半年的未来……»阅读更多

内部检查和计量
通过马克LaPedus- 12月18日,2015 -评论:0

半导体工程坐下来讨论检验、计量等问题与Mehdi Vaez-Iravani,副总统在应用材料先进的成像技术。以下是摘录的谈话。SE:今天,该行业正在开发一系列新的复杂的体系结构,如3 d NAND和finFETs。这些技术的行业显然是挣扎……»阅读更多

为检验和计量闪舞
通过马克LaPedus- 4月16日,2015 -评论:0

芯片制造商正从平面技术,各种类3 d结构,如3 d NAND和finFETs为这些设备,芯片制造商工厂面临着众多的挑战。但是一个意外,常常会忘记技术正成为也许最大的挑战在逻辑学和记忆过程控制。过程控制包括计量和晶片检查。Metrolo……»阅读更多

3 d NAND闪存市场升温
通过马克LaPedus2月19日,2015 -评论:4

经过一些延迟和不确定性在过去几年里,3 d NAND闪存市场终于升温。在2013年和2014年,三星是唯一供应商参与3 d NAND闪存市场。其他供应商应该船3 d NAND闪存设备在去年卷,但厂商推出他们的生产日期为各种业务和技术方面的原因。进入2015年,[getentity id = " 22865 " e_nam……»阅读更多

的3 d与非坦途
通过马克LaPedus1月23日,2014 -评论:1

NAND闪存市场是动态的,但有时也可预测的。供应商往往推出相同的NAND闪存芯片,然后规模较小的几何图形。和NAND芯片价格上升和下降,根据供需方程在一个给定的点。展望未来,然而,NAND闪存市场预计将变得不那么可预测,如果不混乱,在一个新的和主要工艺……»阅读更多

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