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集成电路制造材料和工艺的重大变化
通过埃德·斯珀林和劳拉·彼得斯- 2022年4月21日-评论

Brewer Science首席技术官Rama Puligadda接受了《半导体工程》的采访，讨论了半导体制造、封装和材料方面的一系列广泛变化，以及这些变化将如何影响整个供应链的可靠性、流程和设备。SE:牺牲材料在半导体制造中扮演着什么角色?在新的工艺节点上，这种角色会发生怎样的变化?Puliga……»了解更多

制造业:11月16日
通过马克LaPedus- 2021年11月16日-评论:0

美国能源部(DOE)宣布了最近一项创业技术竞赛的获胜者，包括开发一种新的EUV混合抗蚀剂和抗体治疗平台。该活动被称为“国家实验室加速器推介活动”，由美国能源部国家实验室的11名研究人员参与竞争。研究人员提出……»了解更多

用于精细蚀刻选择性的扩展材料计量
通过安普Somanchi- 2021年6月8日-评论:0

先进器件制造的趋势需要结合光刻蚀刻多模式序列和自对准多模式来形成亚波长尺寸的器件的最佳特征。随着EUV光刻技术(13.5 nm)向更大的数值孔径和更薄的抗蚀剂发展，新的多图纹序列必须具有相互兼容的抗蚀剂和近端层。»了解更多

制造业:3月8日
通过马克LaPedus- 2021年3月8日-评论:0

在最近的SPIE高级光刻会议上，尼康介绍了一种双光束极紫外光刻技术。尼康所谓的EUV投影光学晶圆曝光机(EUV Power Machine)仍处于概念阶段，专为1nm左右的节点设计。该系统的最小分辨率为10nm。»了解更多

EUV在3纳米及以下的不确定未来
通过马克LaPedus- 2020年5月21日-评论:5

几家代工厂已经将7nm和5nm的极紫外(EUV)光刻技术投入生产，但现在业界正在为3nm及以上的下一阶段技术做准备。在研发方面，该行业正在为下一个节点开发新的EUV扫描仪，掩模和电阻。3nm计划在2022年推出，2nm将在一两年后推出。尽管如此，这将需要大量资金……»了解更多

一周回顾:制造、测试
通过马克LaPedus- 2019年7月5日-评论:0

应用材料公司与投资公司KKR签署了一项最终协议，以22亿美元现金收购Kokusai Electric。通过收购Kokusai的半导体设备部门，应用扩展了其客户群，并在批量加工设备业务中获得了立足点，在批量加工设备业务中，工具可以并行处理晶圆。Applied的优势在于…»了解更多

EUV到来，但前方还有更多问题
通过凯瑟琳德比郡- 2019年3月21日-评论:5

EUV已经到来。经过几十年的发展和数十亿美元的投资，EUV光刻技术正在世界领先的晶圆厂占据中心舞台。在ASML的极紫外光刻研究项目开始20多年后，在其第一台预生产曝光工具近十年后，该公司预计将在2019年交付30台EUV曝光系统。这几乎是两倍……»了解更多

EUV的新问题领域
通过马克LaPedus- 2018年3月19日-评论

极紫外(EUV)光刻技术正在接近生产，但问题的变化——也被称为随机效应——正在重新出现，并为期待已久的技术带来更多挑战。GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电希望将7nm和/或5nm光刻技术投入生产。但和以前一样，EUV由几个组合组成…»了解更多

内部光刻和面具
通过马克LaPedus- 2017年4月5日-评论

《半导体工程》杂志与[getentity id="22217" e_name="Imec"]高级图形部门主管Gregory McIntyre讨论了光刻和掩模技术;[getentity id="22819" comment="GlobalFoundries"]高级研究员兼技术研究高级总监Harry Levinson;[getentity id="22210" e_name="Cove…"»了解更多

内部光刻和面具
通过马克LaPedus- 2017年3月16日-评论

《半导体工程》杂志与[getentity id="22217" e_name="Imec"]高级图形部门主管Gregory McIntyre讨论了光刻和掩模技术;[getentity id="22819" comment="GlobalFoundries"]高级研究员兼技术研究高级总监Harry Levinson;[getentity id="22210" e_name="Cove…"»了解更多

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