U-TRR,一种新的实验方法对逆向工程的主要RowHammer缓解机制
文摘:
“DRAM的RowHammer脆弱性是一个严重威胁系统安全。防止RowHammer,供应商承诺通过模糊的安全:现代DRAM芯片依靠非法,专有,on-die移植,俗称目标行刷新(TRR)。在高级别上,TRR检测和刷新潜在RowHammer-victim行,但其确切的不公开披露。安全保障的TRR机制实现不容易由于其专有的特性研究。
评估最近的DRAM芯片的安全保障,我们现在发现TRR (U-TRR),实验方法分析DRAM中TRR实现。U-TRR是基于新的观测数据保留在DRAM的失败使侧槽,泄漏信息TRR受害者行。U-TRR允许我们(我)了解逻辑DRAM刷新潜在行了身体在硅;(2)研究非法on-die TRR机制;和(iii)结合(i)和(ii)评价RowHammer现代DRAM芯片的安全保障。我们展示如何U-TRR允许我们工艺RowHammer访问模式,成功地绕过TRR机制用于45 DRAM模块三大DRAM厂商。我们发现我们分析很容易RowHammer DRAM模块,在多达99.9%的位翻转DRAM行。”
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哈桑哈桑,Yahya Tugrul Jeremie金,范·德·维恩维克多,Kaveh哈,会偏向Mutlu。这项工作是出现在第54 IEEE / ACM国际研讨会微体系结构(微观2021)。
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