SOT-MRAM挑战SRAM


时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

下一代面具作家比赛开始了


竞争是面具加热作家设备业务两个vendors-Intel / IMS和NuFlare-vie在新的和新兴的多波束工具领域的地位。去年,英特尔惊讶这个行业通过收购IMS纳米加工,多波束电子束面具作家设备供应商。同样在去年,IMS,英特尔的一部分,现在开始航运世界第一多波束面具作家f……»阅读更多

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