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标签:随时间变化的介电击穿

半导体老化的原因?
通过布来安梅奥- 2022年2月8日-评论:6

半导体技术已经发展到没有人能认为芯片会永远存在的地步。如果不仔细考虑，老化会缩短IC的寿命，低于预期应用的需要。技术圈对老化进行了很好的研究，但其他不太直接参与的人可能在一般层面上理解这是一个问题，但原因并不总是那么明显。那到底是什么…»阅读更多

处理高级节点设备老化问题
通过安Mutschler- 2020年9月10日-评论:0

在高级节点，电路的过早老化正变得越来越麻烦，因为新的市场需求、来自热的更大压力以及由于密度增加和介质更薄而导致的更严格的公差越来越复杂。在过去，衰老和压力在很大程度上是分开的挑战。由于种种原因，这些界限开始变得模糊。其中包括:汽车、高级节点……»阅读更多

提高GaN和SiC的可靠性
通过马克LaPedus- 2020年6月18日-评论

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的供应商正在推出下一波具有一些令人印象深刻的新规格的产品。但在这些设备被纳入系统之前，它们必须被证明是可靠的。和以前的产品一样，供应商很快就指出，新设备是可靠的，尽管偶尔会出现一些问题……»阅读更多

工艺变化与老化
通过安Mutschler- 2019年1月17日-评论:0

《半导体工程》杂志与ANSYS半导体业务部门首席技术专家João Geada坐下来讨论设计可靠性和电路老化问题;Hany Elhak, Cadence定制IC和PCB组的产品管理总监，模拟和表征;弗劳恩霍夫EAS高级物理验证的Christoph Sohrmann;以及M公司销售副总裁纳西尔·汗……»阅读更多

芯片老化成为设计难题
通过布莱恩•贝利- 2018年8月9日-评论:9

在高级节点上，芯片老化是一个日益严重的问题，但到目前为止，大多数设计团队还没有处理过这个问题。随着汽车等市场推出新的可靠性要求，这种情况将发生重大变化，这需要对影响老化的因素进行全面分析。了解底层物理是至关重要的，因为它可能导致意想不到的结果和漏洞. ...»阅读更多

在10/7nm及以下，晶体管老化加剧
通过安Mutschler- 2017年7月13日-意见:0

对于10nm及以下工艺的设计团队来说，晶体管老化和可靠性变得越来越麻烦。像“婴儿死亡率”和“浴缸曲线”这样的概念在半导体设计中并不新鲜，但随着方法和EDA工具的改进，它们基本上已经淡出了人们的视野。为了克服婴儿死亡率，会进行一个老化过程，尤其是记忆。至于可靠性，这…»阅读更多

自热会阻止finfet吗
通过凯瑟琳德比郡- 2017年4月20日-评论:0

新的晶体管设计和新材料不会凭空出现。它们的采用总是由现有技术的局限性所驱动。硅锗和其他化合物半导体是有趣的，因为他们承诺优越的载流子迁移率相对于硅。[getkc id="185" kc_name="FinFET"]晶体管设计有助于最小化短通道效应，一个临界极限…»阅读更多

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