中文 英语

标签:硅锗

在芯片中使用更多锗以提高能源效率和实现时钟频率
通过技术文件链接- 2022年11月8日-评论:0

维也纳理工大学、约翰内斯开普勒大学、CEA-LETI和瑞士联邦材料科学与技术实验室的研究人员发表了一篇新的技术论文，题为“具有单片单元素Al接触的Si1−xGex纳米片中的成分依赖电传输”。在这里找到技术文件。2022年9月出版。Abstrac……»阅读更多

纳米片fet驱动计量和检测的变化
通过凯伦·海曼- 2022年8月9日-评论:0

在摩尔定律的世界里，更小的节点导致更大的问题已经成为了一个真理。随着晶圆厂转向纳米片晶体管，由于这些和其他多层结构的深度和不透明性，检测线边缘粗糙度和其他缺陷变得越来越具有挑战性。因此，计量学正在采取更多的混合方法，一些著名的工具正在移动……»阅读更多

堆叠纳米片和叉车fet
通过凯瑟琳德比郡- 2021年8月19日-评论:0

栅极全能fet之后的下一步还在研究中，但很可能会涉及到某种版本的堆叠纳米片。先进晶体管的设计是一种权衡。一方面，它需要更少的门电容来控制一个薄通道。另一方面，薄通道不能携带那么多的驱动电流。堆叠纳米片设计试图通过…来协调这两个目标。»阅读更多

战争开始
通过马克LaPedus- 2020年1月23日-意见:6

几家晶圆代工厂正在市场上推广他们的新5nm工艺，但现在客户必须决定是围绕当前的晶体管类型设计下一代芯片，还是转向不同的3nm或更高的晶体管类型。这一决定涉及到将目前的finfet扩展到3nm，或在3nm或2nm上实施一种名为gate-全能fet (GAA fet)的新技术。进化的一步是…»阅读更多

扩展IC路线图
通过马克LaPedus- 2018年6月11日-评论:0

Imec半导体技术和系统执行副总裁An Steegen与《半导体工程》杂志一起讨论了IC缩放和芯片封装。Imec正在研究下一代晶体管，但它也在开发几项用于IC封装的新技术，如专有硅桥、冷却技术和封装模块。以下是关于…»阅读更多

晶体管的未来是什么
通过马克LaPedus- 2017年1月23日-评论

集成电路产业正在同时向几个不同的方向发展。最大的芯片制造商继续通过芯片扩展来降低工艺节点，而其他制造商则转向各种先进的封装方案。最重要的是，后cmos器件、神经形态芯片和量子计算都在研究中。《半导体工程》杂志坐下来与玛丽·塞梅里讨论这些技术……»阅读更多

5nm、3nm的不确定性增加
通过马克LaPedus- 2016年12月19日-意见:4

随着几家芯片制造商加快10纳米finFET工艺的发展，7纳米工艺即将问世，5纳米及以上工艺的研发已经开始。事实上，一些公司已经在这个领域全速前进。[getentity id="22586" comment="TSMC"]最近宣布计划耗资157亿美元在台湾新建一家晶圆厂。拟议的晶圆厂旨在生产台积电的5nm和3nm工艺，这些工艺…»阅读更多

等待5G技术
通过马克LaPedus- 2016年6月23日-评论

一段时间以来，运营商、设备原始设备制造商和芯片制造商一直在为下一代无线标准——第五代移动网络(5G)做准备。5G是目前被称为4G或长期演进(LTE)的无线标准的后续。这将使数据传输速率达到LTE的100倍(10Gbps)以上。但最大的问题是5G是否会……»阅读更多

7nm Fab挑战
通过马克LaPedus- 2016年4月21日-意见:3

领先的代工供应商已经完成了从传统平面工艺到finFET晶体管时代的挑战性过渡。第一个[getkc id="185" kc_name=" finfet "]是基于22nm节点的，现在业界正在加紧发展16nm/14nm技术。展望未来，问题是finFET可以扩展到什么程度。事实上，三星的10nm finfet预计将在今年大幅提升…»阅读更多

7纳米技术之后还有什么作用?
通过马克LaPedus- 2015年8月20日-评论:3

总部位于比利时的研发机构[getentity id="22217" e_name="Imec"]的工艺技术高级副总裁An Steegen与《半导体工程》杂志一起讨论了工艺技术的未来和晶体管趋势，一直到3nm。SE:有人说半导体行业正在走向成熟。然而，我们拥有比以往更多的设备类型和选择，不是吗?Steegen:…»阅读更多

←老帖子

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权所有©2013-2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu