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标签:钌

将铜互联规模多远?
通过劳拉·彼得斯12月- 15,2022 -评论:0

作为主要芯片制造商继续规模finFETs——很快nanosheet晶体管——倾向于音高,最小的金属线最终将成为站不住脚使用铜金属衬套和障碍。接下来会发生什么,当仍有待确定。正在研究有多个选项,每个国家都有自己的权衡。自从IBM介绍了行业c…»阅读更多

挑战背后的权力交付
通过劳拉·彼得斯11月17日,2022 -评论:0

的关键技术之一,使比例低于3 nm涉及权力提供芯片的背面。这部小说的方法提高信号的完整性,减少路由拥塞,但它也带来了一些新的挑战,今天没有简单的解决方案。背后的权力交付(桶)消除了信号之间需要共享互连资源和电线t…»阅读更多

如何比较芯片
通过埃德·斯珀林9月- 15,2022 -评论:0

传统指标半导体在最先进的设计变得更有意义。的晶体管数量装进一个平方厘米只有问题如果他们可以利用,和每瓦特性能无关如果足够的力量不能被送到所有的晶体管。芯片产业的共识是,每个晶体管的成本上升在每个…»阅读更多

铜互联扩展到2海里
通过劳拉·彼得斯——3月17日,2022 -评论:0

晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

光掩模挑战3 nm和超越
通过马克LaPedus1月25日,2022 -评论:1

专家们表:半导体工程坐下来讨论光学和EUV光掩模问题,以及面具业务所面临的挑战,与直Hayashi DNP研究员;彼得•巴克MPC &掩模缺陷管理主任西门子数字行业软件;资深的技术战略总监布莱恩Kasprowicz球兰;和阿基》d2的首席执行官。f…»阅读更多

接下来的晶体管和Chiplets
通过马克LaPedus10月- 21,2021 -评论:5

CMOS技术的高级副总裁Sri Samavedam在Imec,坐下来与半导体工程谈论finFET缩放、gate-all-around晶体管、互联、包装、chiplets和3 d出类拔萃。以下是摘录的讨论。SE:半导体技术路线图是在几个不同的方向移动。我们有传统的逻辑扩展,但包装我…»阅读更多

EUV薄膜终于准备好了
通过马克LaPedus——3月22日,2021 -评论:0

经过一段时间的延迟,EUV薄膜是新兴和成为一个关键芯片的大批量生产的要求。同时,极端的紫外线的薄膜景观(EUV)光刻技术正在改变。荷兰阿斯麦公司的唯一供应商EUV薄膜,将这些产品的组装和销售转移到三井。其他人也在开发薄膜EUV,下一代……»阅读更多

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

大的变化微小的互联
通过埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:1

半导体的基本组件之一,互连,正在彻底改变如下芯片规模7海里。一些最显著的变化发生在最低的金属层。更多和更小的晶体管挤到死,和处理更多的数据和移动开关芯片或跨包,材料用于制造这些互联,届…»阅读更多

在EUV掩找到缺陷
通过马克LaPedus1月23日,2020 -评论:0

极端紫外线(EUV)光刻终于在先进的生产节点,但是仍然存在一些挑战的技术,如EUV掩模缺陷。缺陷在芯片不必要的偏差,从而影响产量和性能。他们可以出现在芯片制造过程中,包括一个面具的生产或光掩模,有时被称为一个十字线。幸运的是…»阅读更多

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