高na EUV可能比看起来更近


高na EUV有望缩小至埃级,为晶体管数量更高的芯片以及一波全新的工具、材料和系统架构奠定了基础。在最近的SPIE先进光刻会议上,英特尔光刻硬件和解决方案总监Mark Phillips重申了该公司在高端市场部署该技术的意图。»阅读更多

3nm及以上的掩模挑战


专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题,以及掩模业务面临的挑战,DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck,西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

为什么掩码空格很重要


Hoya Group的Hoya LSI总裁Geoff Akiki与Semiconductor Engineering公司坐下来讨论光学和极紫外(EUV)光刻以及掩模坯。以下是那次讨论的节选。掩模坯料是作为掩模的基板或衬底的组件。为什么它们很重要?Akiki:如果你看看Hoya,我们一直被定位为……»阅读更多

EUV在3nm及以下的挑战和未知


芯片行业正在为3nm及以上的极紫外(EUV)光刻技术的下一阶段做准备,但挑战和未知仍在继续堆积。在研发方面,供应商正在研究各种新的EUV技术,如扫描仪、电阻和掩模。这些将是达到未来工艺节点所必需的,但它们比目前的EUV pro更复杂和昂贵。»阅读更多

下一期EUV问题:蒙版3D效果


随着极紫外(EUV)光刻技术的生产越来越接近,业界越来越关注一种叫做掩模3D效果的问题现象。掩模3D效果涉及EUV掩模。简单地说,芯片制造商设计一个IC,将其从文件格式转换为掩模。掩模是给定IC设计的主模板。它被放置在光刻扫描中…»阅读更多

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