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GaN应用基础扩大,采用增长


氮化镓(GaN)由于其宽带隙,能够实现快速充电,非常高的速度,并且比硅基芯片小得多,开始在广泛的功率半导体应用中出现。与碳化硅(SiC)不同,GaN是一种横向器件,而不是垂直器件。GaN的最高电压约为900伏,这限制了它在…»阅读更多

检查,测试和测量碳化硅


实现汽车行业严格的零缺陷目标,正成为碳化硅基板制造商面临的一大挑战。随着碳化硅基板从150毫米晶圆迁移到200毫米晶圆,并将重心从纯硅转移,碳化硅基板制造商正努力实现足够的产量和可靠性。碳化硅(SiC)是硅和硬质合金材料的结合体,它已成为制造面糊的关键技术。»阅读更多

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