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标签:蒙版3D效果

3nm及以上的掩模挑战
通过马克LaPedus- 2022年1月25日-意见

专家会议:半导体工程公司坐下来讨论光学和EUV掩模问题，以及掩模业务面临的挑战，DNP研究员Naoya Hayashi;Peter Buck，西门子数字工业软件MPC和掩模缺陷管理总监;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村昭。f…»阅读更多

为高na EUV做准备
通过马克LaPedus- 2021年10月21日-评论

半导体行业正在全速发展高na EUV，但提出这种下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一项艰巨而昂贵的任务。阿斯麦公司开发其高数值孔径(高na) EUV光刻线已有一段时间了。基本上，高na EUV扫描仪是当今EUV光刻系统的后续…»阅读更多

EUV在3nm及以下的不确定未来
通过马克LaPedus- 2020年5月21日-意见:5

几家晶圆代工厂已经将极紫外(EUV)光刻技术转移到7nm和5nm的生产中，但现在业界正在为3nm及以上技术的下一阶段做准备。在研发方面，该行业正在为下一个节点开发新的EUV扫描仪、掩模和电阻。3nm计划在2022年推出，然后在一两年后推出2nm。尽管如此，这将需要大量资金……»阅读更多

用于下一代设备的光刻选项
通过马克LaPedus- 2019年4月18日-评论

芯片制造商正在提高极紫外(EUV)光刻技术，以实现7nm和/或5nm的高级逻辑，但EUV并不是唯一的光刻选择。一段时间以来，该行业一直致力于其他各种下一代光刻技术，包括新版本的EUV。每种技术都是不同的，针对不同的应用。今天有些人就在这里，w…»阅读更多

下一期EUV问题:蒙版3D效果
通过马克LaPedus- 2018年4月25日-评论:6

随着极紫外(EUV)光刻技术的生产越来越接近，业界越来越关注一种叫做掩模3D效果的问题现象。掩模3D效果涉及EUV掩模。简单地说，芯片制造商设计一个IC，将其从文件格式转换为掩模。掩模是给定IC设计的主模板。它被放置在光刻扫描中…»阅读更多

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