下一代晶体管有什么不同呢

通过凯瑟琳德比郡10月- 20,2022 -评论:0

近十年和五大节点后,随着一系列half-nodes,半导体制造业将开始转变从finFETs gate-all-around堆叠nanosheet晶体管结构3纳米技术的节点。相对于finFETs, nanosheet晶体管提供更多驱动电流增加渠道宽度在同一电路足迹。gate-all-aroun……»阅读更多

高度选择性蚀刻推出下一代芯片

通过马克LaPedus- 3月21日,2022 -评论:0

几个腐蚀供应商开始船下一代选择性蚀刻工具,为新的记忆和逻辑设备铺平了道路。应用材料公司是第一个供应商船下一代选择性蚀刻系统,有时被称为高度选择性腐蚀,在2016年。现在,林研究、电话和其他运输工具具有高度选择性腐蚀能力,在准备未来设备苏……»阅读更多

冷却装置:冷却产品但气温上升

通过约翰西12月- 16,2021 -评论:0

中一直是一个难以置信的骑过去五年半导体供应链中,每个人的冷却器供应商照耀是出色的演员。这些冷却系统在sub-fab空间根据清洁房间很少得到关注,但收入在过去的五年中翻了一倍多,孵蛋的22%的复合年增长率达到6.35亿美元……»阅读更多

扩大材料精制腐蚀选择性计量

通过安普Somanchi- 08年6月,2021 -评论:0

趋势在先进设备制造要求结合lithography-etching多模式序列和自对准多模式在亚波长尺寸最好形成设备的特性。EUV光刻(13.5海里)发展到大数值孔径和新薄抗拒,必须开发新的多重图像序列相互兼容的抗拒和近端层t…»阅读更多

加速干燥腐蚀剂腐蚀过程中特性

通过蒂莫西·杨11月23日,2020 -评论:0

在干旱的腐蚀,加速离子的轨迹是不均匀和非均匀,由于与气体分子碰撞和其他随机热效果(图1)。这将影响腐蚀的结果,因为晶片上的腐蚀率在任何时候将随立体角可见大部分室和离子通量的角度范围。这些非均匀和功能依赖e…»阅读更多

5/3nm战争开始

通过马克LaPedus1月23日,2020 -评论:6

一些铸造厂加大他们的新的5 nm工艺在市场上,但现在客户必须决定是否设计他们的下一个芯片在目前晶体管类型或移动到一个不同的一个3 nm和超越。涉及移动扩展的决定今天的finFETs 3海里,或实现一个新的技术称为gate-all-around场效应晶体管(棉酚场效应晶体管)3或2 nm。一个进化步骤f……»阅读更多

标签:干蚀刻