标签:黑硅

先进芯片设计中的功率和热量平衡
通过凯伦·海曼- 2022年11月10日-评论

电力和热量的使用是别人的问题。现在情况已经不同了，随着越来越多的设计迁移到更先进的工艺节点和不同类型的先进封装，问题正在蔓延。这种转变有很多原因。首先，导线直径变小，介质变薄，衬底变薄。电线的结垢需要更多的能量来驱动。»阅读更多

热设计
通过凯伦·海曼- 2022年9月13日-评论:0

从电子表到数据中心，热量已经成为各种半导体的主要问题，在高级节点和高级封装中，热量尤其难以消散，这一问题正变得越来越严重。finfet和GAA fet底部的温度可能与晶体管结构顶部的温度不同。它们也可以根据…»阅读更多

更多选择，更少暗硅
通过埃德·斯珀林- 2022年4月20日-意见:0

芯片制造商开始重新审视在异质系统中应该使用多少暗硅，在什么地方效果最好，以及有哪些替代方案——这是摩尔定律扩展速度放缓和soc日益分解的直接结果。暗硅的概念已经存在了几十年，但它真正开始起飞是在互联网的引入……»阅读更多

暗门:一种混合电源门控架构，以减轻高性能处理器中暗硅的性能影响
通过技术文件链接- 2022年4月12日-意见:0

来自苏黎世联邦理工学院和其他机构的最新研究报告。摘要:为了降低非活性(暗)硅组件的泄漏功率，现代处理器系统使用称为功率门的低泄漏晶体管来切断这些组件的电源。不幸的是，功率门增加了系统的功率传递阻抗和电压保护带，限制了系统的最大可获得电压(即…»阅读更多

基于压缩的芯片多处理器节能非均匀最后级缓存
通过技术文件链接- 2022年1月10日-意见:0

摘要:随着技术的扩展，芯片多处理器(cmp)中缓存系统的大小急剧增加，以在未来的应用中有效地存储和操作大量数据，并减少内核和片外存储器访问之间的差距。对于未来的cmp架构，最近引入了llc的3D堆叠作为一种新的方法来对抗性能…»阅读更多

时间和电压在哪里相交
通过埃德·斯珀林- 2020年2月14日-评论:0

João Geada是ANSYS的首席技术专家，他讲述了电力输送网络的局限性和处理器可以处理的问题，为什么当前解决这些问题的方案会导致故障，以及电压降低如何影响时序。»阅读更多

热挑战和摩尔定律
通过埃德·斯珀林- 2019年10月22日-评论:0

Rambus公司的杰出发明家史蒂文·吴(Steven Woo)研究了显卡几十年来的发展，以及设计如何改变以应对更多图形和更多热量，以及为什么更小、更快和更便宜的显卡不适用于这个市场。»阅读更多

低功率在边缘
通过埃德·斯珀林- 2019年1月17日-评论:0

近几个月来，科技界已经意识到，有太多的数据无法在云中处理一切。现在，它开始着手解决这对边缘和近边缘计算的真正意义。对于在哪里或如何解析这些数据仍然没有规则，但越来越多的人认识到，某种程度的预处理是必要的，而反过来……»阅读更多

定制Vs.非定制设计
通过埃德·斯珀林- 2017年12月21日-评论

[getentity id="22217" e_name="Imec"]北美业务负责人Yong Pang坐下来讨论定制设计;嵌入式和汽车集团产品组合管理总监菲尔·伯尔(Phil Burr);eInfochips首席技术专家Ambar Sarkar;以及Sondrel销售副总裁John Tinson。以下是……»阅读更多

技术讲座:接近阈值的功率
通过埃德·斯珀林- 2017年11月13日-评论:2

Minima Processor的首席技术官兼创始人劳里·科斯基宁(Lauri Koskinen)和ARM的营销副总裁罗恩·摩尔(Ron Moore)谈论了近阈值计算、动态功率和利润率，以及这些技术如何延长电池寿命和降低能耗。https://youtu.be/BhiNFe4NYQU»阅读更多

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