有限制的层数3 d-nand ?


内存厂商竞相添加更多的层3 d NAND,竞争激烈的市场中由数据的激增和需要高容量固态硬盘和更快的访问时间。微米已经232 -层与非订单,和不甘示弱,SK海力士宣布将开始卷制造238 - 512 gb三层水平细胞(TLC) 4 d NAND上半年的未来……»阅读更多

如何制作3 d NAND


2013年,三星达到集成电路产业的一个重要里程碑航运世界首部3 d NAND闪存设备。现在,经过一些延迟和不确定性、英特尔、微米、SK海力士和SanDisk /东芝两人终于加大或抽样3 d NAND闪存。3 d NAND期待已久的继任者今天的平面或2 d NAND,用于记忆卡,固态硬盘(ssd), USB闪存博士…»阅读更多

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