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超出5 nm:回顾埋权力Rails &后侧的权力


新技术论文题为“整体评价埋Rails和后端功率Sub-5纳米技术节点”研究人员提出的标准以内,手臂研究,imec。发现这里的技术论文。2022年7月出版。s . s . t . Nibhanupudi et al .,“一个整体评价埋Rails和后端功率Sub-5纳米技术节点,“在IEEE交易……»阅读更多

制造业:10月26日


甘GaN finFETs、缩放在即将到来的IEEE国际电子设备(IEDM)在旧金山会面,大量的实体将论文研发的最新技术。包括举行的活动,12月11日- 15日论文先进包装、CMOS图像传感器、互联、晶体管、电力设备和其他技术。IEDM,英特尔将一篇论文在氮化镓-…»阅读更多

在英特尔的雄心勃勃的路线图


安·凯莱赫技术开发高级副总裁和总经理英特尔,坐下来与半导体工程谈论公司的新逻辑路线图,以及光刻、包装、和处理技术。以下是摘录的讨论。SE:英特尔最近披露其新逻辑的路线图。除了英特尔3,英特尔公司正在20。智慧……»阅读更多

大的变化微小的互联


半导体的基本组件之一,互连,正在彻底改变如下芯片规模7海里。一些最显著的变化发生在最低的金属层。更多和更小的晶体管挤到死,和处理更多的数据和移动开关芯片或跨包,材料用于制造这些互联,届…»阅读更多

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