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碳化硅(SiC)

宽禁带技术用于场效应晶体管和场效应管为功率晶体管。
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描述

基于硅和碳,原文如此化合物半导体用于发光二极管和电力电子。碳化硅有能带3.3 eV。硅的能带隙1.1 eV。电子带隙宽禁带是指高电压设备,大于1 electronvolt (eV)。

今天,碳化硅二极管用于高端服务器和电信系统的电力供应,但原文如此mosfet仍在市场渗透的早期阶段。SiC与功率mosfet相比,10倍细分领域和热导率的三倍。

SiC场效应晶体管是针对600伏10-kilovolt应用程序。

但原文如此也遭受晶片成本高和低有效通道流动。为了解决一些问题,供应商希望降低成本通过移动更大的晶圆。今天,应用led在150 mm晶圆。应用场效应晶体管使用100毫米基质。

SiC mosfet是垂直的设备。通道结构也在各种配置,包括海沟和平面。平面往往是简单的。Trench-based SiC mosfet电导率较低比平面失去。但沟往往遭受栅氧化层故障,促使一些设计double-trench SiC mosfet。

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