芬兰坦佩雷大学的研究人员发表了题为“基于GaSb放大器和µm尺度SOI波导倒装芯片集成的混合硅光子学DBR激光器”的新研究论文。
文摘:
“由于对新应用的加速渗透，集成光子学的发展经历了前所未有的增长动态。这导致了在功能方面的新要求，最明显的特征是对波长通用性的需求增加。为此，我们首次演示了GaSb半导体光放大器与硅光子电路的倒装芯片集成，解决了光子集成技术向中红外波长的过渡。特别地，演示了在室温下在2µm区域发射输出功率为6 mW的片上混合DBR激光器。波长锁定采用3微米厚的绝缘体上硅(SOI)技术实现的光栅。SOI波导具有强模式限制和低损耗，以及与GaSb光电芯片的出色模式匹配，确保了低损耗耦合。这些具有片上扩展腔的窄线宽激光二极管即使在45°C的高温下工作也能产生超过1mw的连续波输出功率。该演示为GaSb增益芯片的片上硅光子学集成开辟了一个有吸引力的前景，使PICs的光谱范围从1.8 μ m扩展到3 μ m以上。”
找到这里是技术论文。．2022年6月出版。
Nouman Zia, Heidi Tuorila, Jukka Viheriälä， Samu-Pekka Ojanen, Eero Koivusalo, Joonas Hilska和Mircea Guina，“基于GaSb放大器和µm尺度SOI波导倒装芯片集成的混合硅光子DBR激光器”，Opt. Express 30, 24995-25005(2022)。
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