分析了面板失真，并详细介绍了超大曝光场细分辨率光刻解决方案如何解决面板失真以实现积极的覆盖数。
在5G市场的推动下，异构集成需求不断增长。这包括智能手机、数据中心、服务器、高性能计算(HPC)、人工智能(AI)和物联网(IoT)应用。下一代封装技术需要更紧密的覆盖层，以适应更大的封装尺寸和大尺寸柔性面板上的细间距芯片互连。异构集成通过在一个封装内组合多个硅节点和设计来提高器件性能。预计在未来几年内，封装尺寸将大幅增长，增加到75mm x 75mm和150mm x 150mm。针对这些要求，提出了一种超大曝光场精细分辨率光刻解决方案，使封装在超过250mm x 250mm的情况下无需图像拼接，同时超出了这些封装的覆盖和关键均匀性要求。
超大曝光场精细分辨率光刻面临的挑战之一是实现高覆盖数。由于热、高压和其他扇出过程，面板所经历的地层变化使设计位置偏离了标称坐标;这将导致光刻过程中覆盖不准确和覆盖成品率低。解决这一关键的光刻挑战成为异构集成中的重要任务。
本文选择515mm × 510mm的味之素构筑膜(ABF)+覆铜层压板(CCL)基板作为试验载体。我们将分析ABF+CCL基板的图案畸变，了解基板中平移、旋转、缩放、放大、陷阱、正交性等误差的分布，然后使用超大曝光场精细分辨率光刻技术来解决基板的图案畸变。本演示将提供面板失真的分析，并详细说明超大曝光场精细分辨率光刻解决方案如何解决面板失真以实现积极的覆盖数。
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