摘要
“这项综述的主要动机是研究存储器件半导体封装中使用的一级和二级互连材料的演变。在以往的文献中，有报道和研究了低成本溶液中金(Au)键合线向银(Ag)或铜(Cu)键合线的演变，但在温湿试验、高温储存和键合性能等方面，金(Au)键合线仍然是最高的。然而，一种新的键合线材料，金涂层Ag，最近被开发出来作为一种替代解决方案，具有相当的性能，但与金线相比，成本更低。本文的第一部分综述了各种因素的影响，包括可靠性性能和界面反应，这些因素决定了镀银的性能，以开发高可靠性的键合器件。在二级互连方面，SAC305和SAC302焊接合金在温度循环测试和跌落测试之间具有平衡性能，广泛应用于移动、消费和计算机等许多现场应用。SAC405和LF35是针对特定要求而开发的，例如SAC405具有更好的温度循环性能，而LF35与SAC305或SAC302相比具有出色的下降性能。然而，近年来，随着市场对汽车电子产品的需求越来越强，焊点的可靠性，特别是温度循环性能，正在被审查和讨论。典型的Ni/Au表面光洁度焊料合金并不是为汽车应用而设计的，以满足板级可靠性的要求。因此，本文的第二部分将介绍新开发的具有Sn/Ag/Cu/Bi/Ni元素和Cu- osp衬底表面处理的钎料合金。”
找到这里是技术文件或在这里直接向作者请求．公布的10/2021。
邹勇&甘，庄梁&钟，敏华&塔卡，哼哼。(2021)。新兴存储器件封装中使用的互连材料综述:一级和二级互连材料。材料科学杂志:电子材料。32。1 - 15。10.1007 / s10854 - 021 - 07105 - 9。
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