新的混合模式模拟流使用HBM和TLP刺激达到防静电设计预测,验证在28 nm批量CMOS和45 nm SOI CMOS。
文摘:
“分析TCAD ESD仿真对于HBM消灭使用真实世界的HBM ESD波形作为刺激和张力腿平台测试使用方波TLP脉冲火车作为刺激。它得出结论,TCAD ESD模拟使用HBM波形或TLP脉冲火车,孤独,是不够的。我们引入一个新的混合模式模拟流使用HBM和TLP刺激达到防静电设计预测,验证在28 nm散装CMOS和45 nm SOI CMOS。”
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m . Di, z, A c·李和王”一个新的Multi-Stimuli-Based模拟ESD设计验证的方法,“2021第五届IEEE电子设备技术&制造会议(EDTM), 2021年,页1 - 3,doi: 10.1109 / EDTM50988.2021.9420890。
添加到IEEE Xplore日期:2021年5月12日
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